Как разогнать оперативную память ddr4

Intel Bloomfield

Любимцы энтузиастов — процессоры Core i7 девятисотой
серии — обладают феноменальной вычислительной мощностью, однако с их помощью
очень сложно заставить память работать на запредельных частотах. Отчасти это
компенсируется тем, что контроллер памяти у Bloomfield может работать в
трехканальном режиме, недоступном другим рассматриваемым платформам.

При работе с Core i7-9хх возможности оверклокерских
модулей, как правило, упираются в недостаточную производительность
процессорного блока Uncore. Последний состоит из контроллера памяти и L3-кэша,
а скорость его работы напрямую зависит от BCLK. При этом существует правило,
что частота этого блока должна быть как минимум в два раза выше частоты работы
памяти, то есть, например, для нормального функционирования плашек в режиме
DDR3-1800 придется завести Uncore на 3600 МГц. Проблема заключается в том, что
этот самый блок получился большим и горячим. Работу в нештатном режиме он не
любит, и подаваемое на него напряжение необходимо существенно увеличивать (но
не выставлять выше 1,4 В!). В итоге, даже если не разгонять вычислительные
блоки процессора, Uncore с частотой 4000 МГц разогреет кристалл так, что не
всякий кулер справится. Поэтому пересечь черту в 2000 МГц для памяти, не применяя
серьезное охлаждение, крайне сложно. А поскольку разгонять память, не повышая
частоту процессора, не очень разумно, можно констатировать, что
среднестатистическому компьютеру на базе Bloomfield скоростная память вообще не
нужна — какой-нибудь DDR3-1600 хватит с лихвой.

Любопытно, что модели семейства Core i7-9хх предоставляют в
распоряжение пользователя внушительный набор множителей для памяти — они
покрывают диапазон от 6х до 16х с шагом 2х. Для Uncore множитель так и вовсе
можно выкручивать до 42х. Ну а поскольку штатная частота BCLK у Bloomfield
равна 133 МГц, к максимально возможным для памяти значениям частоты можно
подобраться, даже не трогая тактовый генератор. Впрочем, играясь и с BCLK, и с
множителем, опытный оверклокер в любом случае сможет выжать из плашек еще
немного бонусных мегагерц.

Многогранная

Как и в случае с другими компонентами системы, процесс
разгона оперативной памяти заключается в изменении рабочих параметров
устройства. Добиться максимальной производительности от ОЗУ помогают шаманские
пляски с тремя основными характеристиками — частотой, напряжением и задержками
(таймингами).

Что можно сказать о частоте? Чем она больше — тем лучше!
Фактически ее значение показывает, сколько полезных тактов могут совершить
модули памяти за секунду реального времени. Однако и здесь есть свои нюансы.
Дело в том, что для памяти типа DDR, которая используется в современных
компьютерах, существует две разных частоты — реальная и эффективная, причем
вторая ровно в два раза выше первой. Производители модулей всегда указывают
эффективную частоту своих творений, в то время как в различных диагностических
утилитах, а также в BIOS материнских плат нередко отображается именно реальная
частота.

В чем подвох? Название DDR — это сокращение фразы DDR SDRAM,
которая расшифровывается как Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access
Memory, то есть синхронная динамическая память с произвольным доступом и
удвоенной скоростью передачи данных. Ключевые слова здесь — удвоенная скорость.
В отличие от простой SDRAM (предшественницы DDR), рассматриваемая память
взаимодействует с шиной данных не только по фронту, но и по спаду тактового
сигнала, то есть одному такту шины соответствуют два такта микросхемы памяти.
Соответственно, одни разработчики программного обеспечения предпочитают считать
именно такты шины (реальную частоту), в то время как другие указывают частоту
работы самих чипов (эффективную частоту). Так что если во время разгона вы
вдруг обнаружите, что частота памяти ровно в два раза ниже, чем должна быть, то
не удивляйтесь, это нормально.

Рабочее напряжение модулей оказывает существенное влияние на
их стабильность. В соответствии со стандартами, для плашек DDR2 штатным
является напряжение 1,8 В, а для DDR3 — 1,5 В. Медленные модули, как правило,
придерживаются этих значений, а вот оверклокерские наборы почти всегда работают
с повышенными вольтажами: разогнанным чипам не хватает питания, и его
приходится увеличивать. Естественно, это ведет к более интенсивному
тепловыделению, но если на микросхемах памяти есть радиаторы, то небольшое
увеличение напряжения не создает особых проблем. Тем не менее определенные
границы лучше не пересекать, иначе модули могут выйти из строя. Для DDR2
разумным максимумом можно считать напряжение в 2,2 В, а для DDR3 — 1,65 В.

Третий ключевой параметр оперативной памяти — задержки (тайминги),
и это, определенно, тема для отдельной главы.

Советы специалистов

При установке оперативной памяти нужно учитывать несколько простых истин. Во-первых, не весь объем будет доступен в пользовании, так как полтора-два гигабайта занимает операционная система. Во-вторых, при запуске особенно требовательных игр стоит закрыть браузер и прочие «прожорливые» программы и приложения. В-третьих, ее объем никак не сказывается на размере жесткого диска, потому что жесткий диск — это постоянное хранилище, а оперативная память — это временное хранилище с последующей обработкой данных. Современные планки оперативной памяти обладают автоматической настройкой собственного профиля, что хорошо экономит время при эксплуатации.

Разгон оперативной памяти (ОЗУ DDR3, DDR4) через БИОС

В принципе нет никакой принципиальной разницы, хотите вы разогнать оперативную память типа DDR3 или DDR4. Поиск настроек в биосе и последующее тестирование будет выглядеть примерно одинаково. А разгонный потенциал будет больше зависеть от производителя и качества ОЗУ и еще от материнской платы и процессора.

Также хочу отметить, что на большинстве ноутбуков в биосе не предусмотрена возможность изменять параметры оперативной памяти. А ведь весь этот «разгон» по сути, и основывается на подстройке параметров.

Разгон ОЗУ в биосе Award

Прежде чем начать разгон оперативной памяти в биосе Award, нужно нажать комбинацию клавиш Ctrl + F1, чтобы появились расширенные меню настроек. Без этого «трюка» вы нигде не найдете параметры оперативной памяти, которые нам так сильно нужны.

Теперь ищите в меню пункт MB Intelligent Tweaker (M.I.T.). Тут находятся необходимые нам настройки оперативной памяти, а именно System Memory Multiplier. Изменяя частоту этого множителя, вы можете повысить или понизить тактовую частоту вашей оперативной памяти.

Обратите также внимание на то, что если вы хотите разогнать оперативную память, которая работает в связке со стареньким процессором, то у вас, скорее всего, будет общий множитель на ОЗУ и процессор. Таким образом, разгоняя оперативную память, вы будете разгонять и процессор

Обойти эту особенность старых платформ, к сожалению, не получится.

Тут же вы можете увеличить подачу напряжения на ОЗУ. Однако это чревато последствиями, поэтому напряжение нужно трогать, только если вы понимаете, что вы делаете и зачем вы это делаете. В противном случае, лучше оставьте все как есть. А если все же решились, то не понимайте напряжение больше чем на 0,15В.

После того, как вы определились с частотой (так вам пока кажется) и напряжением (если решились) выходим в главное меню и ищем пункт меню Advanced Chipset Features. Тут вы сможете подобрать тайминги задержки. Для этого предварительно нужно изменить значение параметра DRAM Timing Selectable из Auto на Manual, то есть на ручную настройку.

О том, как правильно рассчитать соотношение таймингов и частот будет написано немного ниже. А тут я просто описываю, где в биосе найти нужные нам настройки.

Разгон ОЗУ в биосе UEFI

Биос UEFI является наиболее молодым биосом из всех, а потому и выглядит почти как операционная система. По этой же причине пользоваться им намного удобнее. Он не лишен графики, как его предки и поддерживает разные языки, в том числе русский.

Ныряйте сразу в первую вкладку под аббревиатурным названием M.I.T. и заходите там в «Расширенные настройки частот». Благодаря русскому интерфейсу тут вы точно не запутаетесь. Все аналогично первому варианту – регулируйте множитель памяти.

Потом заходите в «Расширенные настройки памяти». Тут мы управляем напряжением и таймингами. Думаю, все понятно с этим.

Дольше останавливаться на биосах не вижу смысла. Если у вас какой-то другой биос, то либо методом научного тыка найдете необходимый пункт, либо читайте мануалы по вашему биосу.

AMD Phenom II/Athlon II

В последние годы каждая новая процессорная архитектура от
Intel привносит какие-то новые особенности, связанные с разгоном. С AMD все иначе — алгоритм раскочегаривания этих кристаллов уже давно практически не
претерпевает изменений. Вероятно, что вместе с выходом процессоров Llano,
оснащенных встроенным графическим ядром, этой стабильности придет конец, ну а
пока что мы рассмотрим, каким образом разгоняется память, работающая в тандеме
с нынешними решениями AMD — Phenom II и Athlon II.

В качестве опорной частоты для памяти в данном случае
выступает частота системной шины (HT Clock по терминологии AMD), которая по
умолчанию равна 200 МГц. Изменение этого параметра сказывается на режиме работы
процессора, контроллера памяти (этот блок обычно обозначается как CPU NB) и
шины HyperTransport Link. По этой причине в поисках частотного потолка вашего
ОЗУ следует понизить множители для процессора и HT Link, а вот контроллер
памяти, напротив, глушить не стоит. Его частота должна быть по крайней мере в
три раза выше, чем реальная частота памяти (и, соответственно, в полтора раза
выше, чем частота эффективная), иначе стабильность системы не гарантируется.
Вместе с тем чем быстрее работает контроллер, то тем больше шансов выдавить из
модулей памяти лишние мегагерцы или понизить их тайминги. Можно даже слегка
задрать напряжение CPU NB, чтобы достичь лучшего результата, но сильно
увлекаться не стоит.

Следует отметить, что на платформах AMD память разгоняется
хуже, чем на платформах Intel и, как правило, отметку в 2000 МГц оверклокерам
покорить не удается. Таким образом, покупать для такой системы сверхбыстрые планки
DDR3 нет особого смысла. Учтите, что режимы работы до DDR3-1600 МГц
включительно можно активировать изменением множителя, однако при дальнейшем
разгоне в любом случае придется мучить тактовый генератор.

Разгон оперативной памяти через БИОС

Разгон оперативной памяти DDR3 примерно такой же как у DDR4. Поиск настроек, тестирование и общий процесс будет проходить одинаково. Однако стоит подробнее разобраться с каждым из возможных вариантов для того, чтобы исключить серьезные ошибки. К тому же, есть два алгоритма разгона, которые отличаются.

Разгон ОЗУ в БИОС Award

Для начала стоит сказать, что мы советуем записать все изначальные настройки системы перед тем, как вы будете что-то менять, а также записывать результаты с определенными параметрами настроек. Так вам будет легче потом вернуть все в обычное состояние, а также не будет проблем, если вы захотите вернуться к одним из настроек, которые пробовали раньше. Записывать лучше на листке, который будет всегда под рукой.

Вам может быть интересна наша статья: Что делать, если не загружается БИОС: проблемы и решение.

Чтобы понять, как разогнать оперативную памяти в БИОСе Award, нажмите на своей клавиатуре одновременно Ctrl + F1, на экране должно появиться большое меню настроек. В настройках ищите “MB Intelligent Tweaker (M.I.T.)”.

Вы должны увидеть такие настройки ОЗУ как System Memory Multiplier. Для того, чтобы начать работу по увеличению скорости ОЗУ и ее эффективности, вам необходимо менять частоту этого показателя. Так будет идти вниз или вверх показатель тактовой частоты ОЗУ

Важно помнить о том, что если вы хотите увеличить скорость работы ОЗУ, которая стоит на старом процессоре, то множитель для процессора и для памяти будет совпадать. Так что при попытках увеличить эффективность работы своей оперативной памяти, вы автоматически будете одновременно разгонять еще и процессор

Для многих окажется неприятной неожиданностью, но от этого «бага» вы никак не сможете избавиться. А чтобы увеличить эффективность ОЗУ в данном случае понадобится покупать дополнительную аппаратуру, но это особенность старой техники.

В этом же окне настроек вы можете увеличить напряжение, которое подается на оперативную память. Но будьте внимательны, это может делать только человек, который хорошо разбирается в технике потому что такие действия могут привести к непредвиденным последствиям и даже вызвать возгорание. Если вы не сильны в электрике — не трогайте. Также не нужно сильно поднимать напряжение за один раз — на одну десятую Вольта будет достаточно. И если вы все-таки захотели это сделать, проверьте все параметры собственной безопасности и убедитесь в правильных расчетах.

После собственноручной установки необходимой, по вашему мнению, частоты и после того, как вы поменяли напряжение (если знаете, умеете и решились на это), вам нужно выйти стрелкой назад к пункту с основным меню. В основном меню стоит найти “Advanced Chipset Features”. В этом пункте можно выбрать нужные вам тайминги задержки. Но запомните одну деталь: для настройки параметров задержки нужно заранее изменить положение пункта DRAM Timing Selectable из Auto на Manual. По сути, вы выведите его на возможность настраивать вручную.

Как рассчитать необходимую зависимость частот от тайминга, будет рассказано в разделе ниже.

Разгон ОЗУ в БИОСе UEFI

Биос UEFI — самый молодой БИОС из тех, которые устанавливаются на современные компьютеры, поэтому он выглядит очень похожим на операционную систему. Именно поэтому для обычного пользователя намного удобнее настраивать ОЗУ и другие параметры через этот БИОС. В отличие от более старых версий системы, у него есть графика, а также возможность поддержки разных языков, среди которых есть русский.

Прежде, чем начать настройку, следует открыть вкладку “M.I.T.” и выбрать в этой вкладке пункт “Расширенные настройки частот”. В этой версии БИОСа есть русский интерфейс, перепутать будет сложно.

После этого, как и в предыдущем пункте, необходимо начать регулировать настройки памяти. После — перейти в пункт “Расширенные настройки памяти и начать изменять параметры тайминга и напряжения (если вы имеете достаточно опыта и знаний для того, чтобы проводить подобне изменения настроек).

Скорость, время и задержка CAS

Скорость ОЗУ обычно измеряется в мегагерцах, обычно сокращенно «МГц». Это мера тактовой частоты (сколько раз в секунду ОЗУ может обращаться к своей памяти) и аналогично измерению скорости процессора. «Стандартная» скорость для DDR4 (новейшего типа памяти) обычно составляет 2133 МГц или 2400 МГц. DDR означает «Двойная скорость передачи данных», что означает, что ОЗУ считывает и записывает дважды для каждого тактового цикла. На самом деле, скорость составляет 1200 МГц, или 2400 мегабит в секунду.

Но большая часть оперативной памяти DDR4 обычно имеет 3000 МГц, 3200 МГц или выше. Это из-за XMP (Extreme Memory Profile). XMP — это, по сути, оперативная память, сообщающая системе: «Эй, я знаю, что DDR4 должен поддерживать скорость до 2666 МГц, но почему бы Вам не разогнать меня до большей скорости?» Это заводской разгон, уже настроенный, протестированный и готовый к работе. Это достигается на аппаратном уровне с помощью микросхемы в самой ОЗУ, называемой микросхемой обнаружения серийного присутствия, поэтому на каждый чип приходится только один профиль XMP.

В каждом наборе оперативной памяти есть несколько скоростей; Стандартные скорости используют одну и ту же систему обнаружения присутствия и называются JEDEC. Все, что выше стандартных скоростей JEDEC, — это разгон, означающий, что XMP — это просто профиль JEDEC, который был разогнан на заводе.

Время ОЗУ и задержка CAS — это другой показатель скорости. Они измеряют задержку (как быстро реагирует Ваша RAM). Задержка CAS — это мера количества тактов между отправкой команды READ на карту памяти и процессором, получающим ответ. Обычно это называется «CL» после скорости ОЗУ, например, «3200 МГц CL16».

Обычно это связано со скоростью ОЗУ — чем выше скорость, тем выше задержка CAS. Но задержка CAS — это только один из множества разных таймингов и тактов, которые заставляют работать ОЗУ; остальные, как правило, просто упоминаются как «тайминги ОЗУ». Чем ниже и плотнее время, тем быстрее будет работать ОЗУ. Если Вы хотите узнать больше о том, что на самом деле означает каждое время, Вы можете прочитать это руководство от Gamers Nexus.

В случае экстренного сброса BIOS

А что, если все пойдет не так, и ваш компьютер вообще не загрузится? Паника? Нет!

Вам необходимо сбросить BIOS, чтобы восстановить стандартные настройки вашей оперативной памяти, и они снова смогут работать. Вы должны проконсультироваться с руководством по материнской плате, чтобы узнать, как это сделать, но в целом одно из них должно работать:

• Перезагрузите компьютер 3-4 раза. Некоторые материнские платы сбрасываются до значений по умолчанию после нескольких неудачных попыток загрузки.
• Если возможно, нажмите кнопку сброса BIOS на материнской плате.
• Установите перемычку сброса BIOS на материнскую плату, если применимо.
• Извлеките батарею CMOS, подождите несколько минут и замените ее.

После сброса настроек BIOS все должно вернуться в нормальное состояние. Однако вам придется пройти через все настройки, чтобы убедиться, что они такие, какими должны быть. Если у вас материнская плата UEFI, вы можете сохранить профиль BIOS на жесткий диск, прежде чем начинать что-то менять. Затем вы сможете восстановить его из сохраненного профиля. Удачного разгона!

DDR4 Samsung

Данная оперативная память предоставляется в самом простом варианте, то есть без подсветки и без корпуса с радиатором. Есть три вида оперативной памяти от данного производителя, а отличаются они частотами. Далее будет рассмотрен вариант разгона оперативной памяти DDR4 Samsung с частотой 2400.

Вам будет интересно:Принтер HP LaserJet 1022. Характеристики и порядок настройки

Внешний вид платы указывает на одностороннее расположение чипов памяти. Маркировка на задней стороне показывает пользователю на то, что модуль от Samsung, объем памяти восемь гигабайт, поколение DDR4, номинальная частота работы 2400 мегагерц, единичный ранг строения и последовательный серийный номер. Номер модели также можно увидеть на самой плате. Последняя цифра указывает на то, что планки, выпущенные в данном времени, относятся ко второй ревизии.

Визуально отмечается только шесть металлических слоев, однако производитель не указывает точное количество. В основу микросхем лег 18-нанометровый кристалл компании-производителя.

Что нужно учитывать при разгоне оперативки DDR4

Увеличение скорости RAM подразумевает работу устройства за пределами, предусмотренного условиями эксплуатации. По этой причине нужно быть уверенным, что манипуляции с изменением настроек режима оперативки не навредят вашему ПК.

Разгон включает действия по изменению 3-х параметров: тактовой частоты, таймингов и напряжения.

Чем выше частота и ниже тайминги, тем быстрее будет память. Но при высокой частоте память потребует более высокого напряжения. Здесь следует помнить, что для ОЗУ DDR4 оно установлено в 1,2 В. Чтобы оперативка работала стабильно и не вышла из строя, допустимый предел – 1,4В. Превышение этого порога грозит серьезными неприятностями.

Результат оверклокинга зависит еще от одной характеристики – ранга ОЗУ (одноранговый или двухранговый). В целях разгона наиболее выгоднее иметь дело с одноранговой платой.

Шаг 3.

На данном этапе работы мы будем увеличивать частоту. Шаг увеличения этого параметра обычно равен 100 MГц. В Bios’е она обычно обозначается как DRAM Frequency. Если у модуля есть X.M.P. профиль, то мы начинает разгон от его частоты. Если же нет, то придется подбирать, начиная с 2100 МГц – самого минимального значения. Тайминги мы пока трогать не будем.

Некоторые материнские платы начинают автоматически подбирать тайминги для установленной частоты. Чтобы это не происходило, и мы могли контролировать процесс самостоятельно, неплохо будет вручную зафиксировать тайминги.

И так, мы растим частоту на 100 МГц, затем нажимаем клавишу F10, чтобы сохранить результаты и смотрим – запустился ли наш компьютер. Если ПК запустился, нам нужно провести стресс-тест, чтобы проверить оперативную память на стабильность работы.

Самый просто вариант для этого – программа AIDA. Она бесплатная на 30 дней и ее без проблем можно скачать, а затем удалить с вашего компьютера. Тестировать мы будем модули оперативной памяти данной программой хотя бы в течении 10-15 минут. Если все хорошо – мы заходим снова в BIOS, увеличиваем частоту еще на 100 МГц и повторяем процедуру запуска и теста.

В какой-то момент все может стать плохо и компьютер перестанет запускаться или проходить стресс-тест. В такой ситуации нужно увеличивать тайминги. Но пред этим нужно «заставить» компьютер снова запуститься.

Для этого мы должны сбросить настройки BIOS к заводским параметрам.  Это можно сделать кнопками Clear CMOS или MemOK на вашем материнской плате. Можно поступить еще проще- выключить питание из розетки и на несколько секунд вытащить батарейку BIOS’a вашей материнской платы.

Но вернемся к выставлению таймингов. Есть много схем выставления таймингов, но жестких правил тут нет, так что можно сделать это даже интуитивно.

В общем и целом, можно растить тайминги на значения 23-24 по первым трем. Значения выше выставить можно, но это уже будет перебор и ПК может начать работать медленнее.

Индивидуальный подход

Когда дело доходит непосредственно до ковыряния в
многочисленных меню, становится понятно, что изменять тайминги куда проще, чем
частоту памяти. Это в видеокартах все элементарно: потянул в специальной
утилите ползунок вправо — получил нужную прибавку к частоте. С полноценными
DDR-модулями все намного сложнее.

Основные проблемы связаны с тем, что скорость работы
оперативки зависит сразу от двух параметров — опорной частоты (FSB, BCLK) и
множителя. Перемножая эти значения, мы получаем итоговую частоту ОЗУ. Однако
простое увеличение первого параметра почти наверняка приведет к непредвиденным результатам,
ведь это неизменно скажется на производительности других компонентов системы.
Можно, конечно, не трогать опорную частоту, но добиться впечатляющего разгона с
помощью одних лишь модификаций множителя в большинстве случаев невозможно.

На разных платформах изменение опорной частоты приводит к
разным последствиям. Кроме того, нередко ради повышения скорости работы памяти
требуется изменить рабочие параметры других исполнительных блоков системы.
Словом, к каждой платформе нужен свой подход, так что мы постараемся разобрать
основные нюансы для каждого случая. Рассматривать все возможные конфигурации
мы, разумеется, не станем — сосредоточимся на десктопных платформах,
появившихся в последние несколько лет. У всех них контроллер памяти
располагается в процессоре, так что можно сказать, что особенности разгона
зависят от того, какой именно кусок кремния является сердцем системы. Итак,
хит-парад самых актуальных на сегодняшний день процессоров…

Как разогнать оперативную память ddr4

Для ускорения оперативки существует всего 2 способа:

• замена планок на более быстрые;
• разогнать оперативку вручную.

Замена планок ОЗУ

Самый простой, но требующий денежных затрат вариант, — установка нового модуля оперативки. Замена на ноутбуке проводится в таком порядке:

• отключить девайс от питания, выждать несколько минут до полного отключения всех индикаторов;
• снять батарею;
• поднять крышку с отсеком для слотов;
• установить новую планку RAM с лучшими характеристиками.

Самостоятельный разгон оперативки

Увеличить тактовую частоту ОЗУ абсолютно бесплатно – главная цель любителей оверклокинга.  Успех зависит от постепенного изменения параметров, в определенной последовательности, с обязательной проверкой. Специалисты не советуют новичках при разгоне ОЗУ затрагивать субтайминги и работать с напряжением на контроллере памяти.

Перечислим, на каких материнских платах можно разгонять оперативку:

• на INTEL – платы на X или Z – чипсетах;
• в AMD — все платы под современные процессоры RYZEN.

Чтобы разогнать оперативную память DDR4, нужно все действия проводить в BIOS. Алгоритм зависит от того, установлен производителем XMP-профиль или нет. Он есть у всех модулей DDR4 с частотами выше 2133 МГц. Это означает, что производитель заранее заложил в сам модуль набор настроек для активации в BIOS (UEFI).

При наличии XMP-технологии все достаточно просто – нужно выставить в настройках требуемую частоту, а все остальные параметры подстроятся автоматически.

Что делать, если XMP нет или привлекает частота 3200 МГц и выше? Тогда придется искать и подбирать все параметры вручную, скрупулезно, действуя всего на полшага вперед. Весь разгон сводится к тому, что нужно найти баланс между частотой, таймингами и вольтажом. Оптимально, когда частота максимальная, а остальные 2 параметра – минимально возможные.

Алгоритм таков:

• Войти в BIOS (после включения ПК несколько раз нажать Del до запуска БИОС).
• Перейти в раздел M.I.T.
• Для упрощения задачи сначала нужно поднять напряжение и не менять его на протяжении всего разгона (таким образом избавляемся от одного параметра и работаем только с двумя). Напряжение выставляется в разделе Dram Voltage. Безопасный максимум для DDR4 — 1,35 В. Более высокий показатель (1,4-1,45 В) уже требует дополнительного обдува модуля от перегрева.
• Второй шаг – увеличить частоту с шагом 100 МГц. Если имеется XMP-профиль, то стартуем с его частоты и таймингов. Если такой опции нет, то подбор начинается с самого минимального значения (2133 МГц).
• Во время работы с частотой тайминги не трогать. Желательно вручную зафиксировать их на заводских значениях.
• После первого повышения частоты нажать на F10, чтобы закрепить результат.
• Если компьютер запускается, то проводится стресс-тест для проверки ОЗУ на стабильность работы. Для этого лучше использовать программу AIDA. Минимальное время тестирования – 10-15 мин.

При положительном результате цикл повторяется. Нужно войти в BIOS и снова увеличить показатель частоты на 100 МГц. Затем повторно провести запуск и тест на стабильность.

Если в определенный момент компьютер не запускается или слетают настройки, то потребуется увеличить тайминги. При появлении черного экрана нужно сбросить настройки БИОСа и вернуться к заводским настройкам.

В увеличении таймингов нет особых правил. Желательно, чтобы для DDR4 первые 3 параметра не превышали 22-23. После повышения таймингов запускаем компьютер и снова тестируем. Если все работает нормально, можно повысить частоту на 100 МГц. И дальше цикл повторяется.

Если нет запуска или не пройден стресс-тест, придется увеличить тайминги на 1. Количество циклов в подборе показателей зависит от стабильности функционирования оперативки и упорства (или любви к риску) у пользователя.

Важно помнить, что срок эксплуатации разогнанной памяти значительно меньше

Выводы

Первое, что хочется отметить в выводах — разгон памяти ОЗУ — это очень непростое дело, которое требует не просто начитанности и понимания в этом вопросе, но и понимания основных правил работы с настройками процессора и материнской платы, основные правила работы электрикой и с техникой. Кроме того, чтобы правильно сделать разгон памяти, понадобится достаточно времени для экспериментов и тестирования, а также очень много терпения, чтобы не бросить свою затею на половине пути и довести дело до логического конца.

• Так что если твердо решили разгонять память — стоит выделить на это целый день, в который вам не нужен будет срочно персональный компьютер и в который вы сможете сделать все не спеша и в комфортной обстановке, чтобы посчитать настройки и правильно их ввести.
• Также, если вам хочется увеличить скорость ОЗУ, можете обратиться в специальный центр, где специалисты будут не только подстраивать основные параметры, о которых говорится в этой статье но и смогут увеличить подачу напряжения, так как они не раз сталкивались с такой просьбой от клиентов.
• Кроме того, вы всегда можете просто рассмотреть вариант того, чтобы не просто искусственно разгонять ОЗУ и снижать время работы памяти, а просто увеличить ее количество у себя на персональном компьютере. Это даст вам верный результат, предотвратит раннее изнашивание деталей и существенно расширит ваши возможности.