Как разогнать оперативную память ddr4 и не спалить ее — разгон micron e-die на ryzen (zen+) — баланс между температурой, напряжением, частотой и таймингами

Синхронное динамическое ОЗУ с двойной скоростью передачи данных (GDDR SDRAM)

Память видеокарты на чипах GDDR5 SDRAM

• Время на рынке: с 2003 года по настоящее время
• Популярные продукты, использующие GDDR SDRAM: видеокарты, некоторые планшеты

GDDR SDRAM — это тип DDR SDRAM, специально разработанный для рендеринга видео графики, обычно в сочетании с выделенным графическим процессором (графическим
процессором) на видеокарте. Современные компьютерные игры выходят за рамки невероятно реалистичной среды с высоким разрешением, часто требуя
здоровенных системных характеристик и лучшего оборудования для видеокарт (особенно при использовании дисплеев с высоким разрешением 720p или 1080p).

Память видеокарты на чипах GDDR5 SDRAM

Подобно DDR SDRAM, GDDR SDRAM имеет собственную эволюционную линию (повышение производительности и снижение энергопотребления): GDDR2 SDRAM, GDDR3 SDRAM,
GDDR4 SDRAM и GDDR5 SDRAM.

Несмотря на то, что у DDR ​​SDRAM есть похожие характеристики, GDDR SDRAM — не совсем то же самое. Существуют заметные различия в том, как работает GDDR
SDRAM, в том что касается пропускной способности по сравнению с задержкой. Ожидается, что GDDR SDRAM будет обрабатывать огромные объемы данных
(пропускную способность), но не обязательно на самых высоких скоростях (задержка).

Представьте себе шоссе с 16 полосами, установленным на 55 миль в час. Для
сравнения, ожидается, что DDR SDRAM будет иметь низкую задержку, чтобы немедленно реагировать на процессор — вспомним двухполосную магистраль, установленную
на 85 миль в час.

EDO DRAM

Начиная с 1995 года, в PC используется новый тип оперативной памяти — EDO (Extended Data Out). Это усовершенствованный тип памяти FPM, у него было еще одно название, которое сейчас не используется Hyper Page Mode. Микросхемы памяти EDO учитывают перекрытие синхронизации между очередными операциями доступа. За счет этого удается частично совместить по времени следующий цикл чтения с предыдущим, т.е. чипсет при работе с EDO памятью может начать выполнение новой команды выборки столбца, пока данные считываются по текущему адресу, за счет чего еще уменьшаются задержки на получение доступа.

Для оперативной памяти EDO схема синхронизации в пакетном режиме имеет вид 5-2-2-2, т.е. на четырех операциях считывания тратится не 14, а 11 тактов. Т.е. налицо явный прирост производительности, в то время как стоимость чипов типа EDO лишь немного отличалась от чипов

FPM.

Интерфейс

Физически микросхема памяти представляет собой прямоугольный кусок керамики или пластика покрытый с двух сторон множеством «ножек».
Эти ножки представляют из себя линии адреса и линии данных. Линии адреса, как и следует из их названия, служат для выбора адреса ячейки памяти, а линии данных — для чтения и для записи ее содержимого. Необходимый режим работы определяется состоянием специального вывода WriteEnable (Разрешение Записи).

Низкий уровень сигнала WE готовит микросхему к считыванию состояния линий данных и записи полученной информации в соответствующую ячейку, а высокий, наоборот, заставляет считать содержимое ячейки и «выплюнуть» его значения в линии данных.

Такой подход значительно сокращает количество выводов микросхемы, что в свою очередь уменьшает ее габариты и повышает допустимую тактовую частоту. Таким образом, совмещение выводов микросхемы увеличивает скорость обмена с памятью, но не позволяет осуществлять чтение и запись одновременно.

Процесс записи данных

Необходимый режим работы определяется состоянием специального вывода Write Enable (разрешение записи).

Подается сигнал WR (Write) и информация поступает на шину столбца не из регистра, а с информационного входа памяти через коммутатор, определенный адресом столбца. Таким образом, прохождение данных при записи определяется комбинацией сигналов адреса столбца и строки и разрешения записи данных в память. При записи данные из регистра строки на выход не поступают.

Следует учесть то, что матрицы с ячейками расположены так, как показано на схеме:

Такое расположение обеспечивает, что за один раз будет считан не один бит, а несколько. Если параллельно расположено 8 матриц, то сразу считан будет один байт. Это называется разрядностью. Количество линий, по которым будут передаваться данные от/на параллельных матриц, определяется разрядностью шины ввода/вывода микросхемы.

Разрядность данных обычно соответствует разрядности процессора, поддерживаются режим обращения по банкам (чередование обращения в разные банки памяти — interleaving, когда смежные адреса памяти расположены в физически различных устройствах, допускающих независимое обращение) и режимы передачи данных пакетами.

Низкий уровень сигнала Write Enable (WE, разрешение записи) готовит микросхему к считыванию состояния линий данных и записи полученной информации в соответствующую ячейку, а высокий, наоборот, заставляет считать содержимое ячейки и выдать его значения в линии данных.

Настройка fsb и dram

Сообщения: 192Откуда: калуга

Репутация: 10

хотелось бы уточнить один момент:

насколько я понимаю FSB/DRAM это соотношение частоты системной шины к частоте памяти, и везде вроде бы все мечтают чтобы оно было 1:1 (ну или хоть где нибудь 1

вопрос — где я прав/неправ и к чему всётаки стремиться при покупке системы (amd со встроенным контроллером соответственно) ?

Сообщения: 3493Откуда: г.Тольятти

Репутация: 1

Сообщения: 1196Откуда: Киев

Репутация: 29

Сообщения: 3493Откуда: г.Тольятти

Репутация: 1

Последний раз редактировалось sergey2400 23:35 28.06.2008, всего редактировалось 2 раз(а).

Рекомендации по увеличению ОЗУ компьютера

Как увеличить оперативную память без проблем? — к сожалению когда вы добавляете еще одну планку оперативки никакой гарантии что она будет работать в паре с вашей нет. Как правило идентичную найти практически невозможно, но риск конфликта можно сократить подобрав идентичный модуль по техническим характеристикам (объем, частотность и плотность/количество чипов).

В идеале договориться с продавцом обменять модуль памяти, если он вам не подойдет или принести свой компьютер или ноутбук к ним — чтобы проверить все на месте. Бывало что память начинала некорректно работать не сразу, а спустя пару минут… так что успешный запуск BIOS не говорит об успешности апгрейда

Какое значение выбрать?

Для большинства пользователей, не занимающихся разгоном процессора, лучше всего установить значение Auto (CPU Default). В этом случае будет использоваться напряжение, стандартное для данной модели процессора и гарантирующее его безотказную работу.

В противном случае, если вас не устраивает стандартное значение напряжения, вы можете установить его самостоятельно. Однако при этом следует помнить, что установка напряжения ЦП, превосходящего номинал более чем на 0,2 В, может привести к выходу ЦП из строя. Кроме того, увеличение напряжения обычно приводит к чрезмерному нагреву процессора, что потребует дополнительных мер по его охлаждению.

Синхронное динамическое ОЗУ с двойной скоростью передачи данных (DDR SDRAM)

DDR SDRAM

• Время на рынке: с 2000 года по настоящее время
• Популярные продукты с использованием DDR SDRAM: память компьютера

DDR SDRAM работает как SDR SDRAM, только в два раза быстрее. DDR SDRAM способна обрабатывать две инструкции чтения и две записи за такт (следовательно,
«двойной»). Функция DDR SDRAM аналогична, и имеет физические различия (184 контакта и один паз на разъеме) по сравнению с SDR SDRAM (168 контактов и
две выемки на разъеме). DDR SDRAM также работает при низком стандартном напряжении (2,5 В от 3,3 В), предотвращая обратную совместимость с SDR SDRAM.

• DDR2 SDRAM — это эволюционное обновление до DDR SDRAM. Несмотря на удвоение скорости передачи данных (обработка двух команд чтения и двух команд записи за
  такт), DDR2 SDRAM работает быстрее, поскольку может работать на более высоких тактовых частотах. Стандартные (не разогнанные) модули памяти DDR работают с
  частотой 200 МГц, тогда как стандартные модули памяти DDR2 работают с частотой 533 МГц. DDR2 SDRAM работает при более низком напряжении (1,8 В) с большим
  количеством контактов (240), что предотвращает обратную совместимость.
• DDR3 SDRAM повышает производительность по сравнению с DDR2 SDRAM благодаря улучшенной обработке сигналов (надежности), большей емкости памяти, более низкому
  энергопотреблению (1,5 В) и более высоким стандартным тактовым частотам (до 800 МГц). Хотя DDR3 SDRAM имеет то же количество контактов, что и DDR2 SDRAM (240),
  все остальные аспекты препятствуют обратной совместимости.
• DDR4 SDRAM повышает производительность по сравнению с DDR3 SDRAM благодаря более продвинутой обработке сигналов (надежности), еще большей емкости памяти, еще
  более низкому энергопотреблению (1,2 В) и более высоким стандартным тактовым частотам (до 1600 МГц). DDR4 SDRAM использует 288-контактную конфигурацию, что
  также предотвращает обратную совместимость.

Практика применения

Устройства FMP DRAM были весьма популярны и распространялись в различных девайсы в 1980-х и первой половине 1990-х годов. Затем, в конце 90-х, появился новы тип DRAM — EDO. В его устройство добавлен новый выход передачи сигнала (OE), что позволяет контролировать выход из буфера от сигнала CAS до оригинального сигнала. Чтение данных на выходе у EDO может осуществляться в течение длительного времени после выхода сигнала CAS, — поэтому название этого устройства расшифровывается как «расширенный сигнал». Может быть использовано в конвейерных системах для перекрытия доступа, где следующий цикл будет начинаться до того как данные из последнего цикла удаляются на шине. EDO DRAM, в первую очередь , используется с Intel Pentium процессорами начиная с более медленных, ранних версий: там пока нет значительной скорости работы (начало применения — 1995 г.). Для того, чтобы сделать работу с использованием EDO более продуктивной в процессорах Pentium используют, к примеру, чипсеты Triton HX.

EDO DRAM достигло определенных успехов в замене FMP на рынке персональных компьютеров. Его пропускная способность выше, поэтому EDO в приоритете. Однако, спустя время EDO не смогло удовлетворять растущий спрос на пропускную способность памяти и разработчики стали искать иное устройство памяти, эволюционируя и преобразовывая EDO. Таким устройством стало BEDO DRAM.

Как понять, что за «зверя» предлагает магазин

В

• DDR3, 12800 Мб/с.
• DDR3, PC12800.
• DDR3, 800 МГц (1600 МГц).
• DDR3, 1600 МГц.

Кто-то подумает, что речь в этом примере идет о четырех разных планках. На самом деле так можно описать один и тот же модуль RAM с эффективной частотой 1600 МГц! И все эти числа косвенно или прямо указывают на нее.

Чтобы больше не путаться, разберемся, что они означают:

• 12800 Мб/с – это пропускная способность памяти, показатель, получаемый путем умножения эффективной частоты (1600 МГц) на разрядность шины одного канала (64 бит или 8 байт). Пропускная способность описывает максимальное количество информации, которое модуль RAM способен передавать за один такт. Как определить по ней эффективную частоту, думаю, понятно: нужно 12800 разделить на 8.
• PC12800 или PC3-12800 – другое обозначение пропускной способности модуля RAM. Кстати, у комплекта из двух планок, предназначенного к использованию в двухканальном режиме, пропускная способность в 2 раза выше, поэтому на его этикетке может стоять значение PC25600 или PC3-25600.
• 800 МГц (1600 МГц) – два значения, первое из которых указывает на частотность шины самой памяти, а второе – в 2 раза большее – на ее эффективную частоту. Чем отличаются показатели? В компьютерах, как вы знаете, используется ОЗУ типа DDR – с удвоенной скоростью передачи данных без увеличения количества тактов шины, то есть за 1 такт через нее передается не одна, а две условные порции информации. Поэтому основным показателем принято считать эффективную тактовую частоту (в данном примере – 1600 МГц).

На скриншоте ниже показано описание скоростных характеристик оперативки из каталогов трех компьютерных магазинов. Как видно, все продавцы обозначают их по-своему.

Разные модули ОЗУ в рамках одного поколения – DDR, DDR2, DDR3 или DDR4, имеют разные частотные характеристики. Так, самая распространенная на 2017 год RAM DDR3 выпускается с частотностью 800, 1066, 1333, 1600, 1866, 2133 и 2400 МГц. Иногда ее так и обозначают: DDR3-1333, DDR3-1866 и т. д. И это удобно.

Собственную эффективную частоту имеет не только оперативка, но и устройство, которое ею управляет – контроллер памяти. В современных компьютерных системах, начиная с поколения Sandy Bridge, он входит в состав процессора. В более старых – в состав компонентов северного моста материнской платы.

Практически все ОЗУ могут работать на более низких тактах, чем указано в характеристиках. Модули оперативки с разной частотностью при условии сходства остальных параметров совместимы между собой, но способны функционировать только в одноканальном режиме.

Если на компьютере установлено несколько планок ОЗУ с разными частотными характеристиками, подсистема памяти будет вести обмен данными со скоростью самого медленного звена (исключение – устройства ). Так, если частота контроллера составляет 1333 МГц, одной из планок – 1066 МГц, а другой – 1600 МГц, передача будет идти на скорости 1066 МГц.

Extended Data Out RAM

В 1995 году, для Pentium систем стал доступен новый тип DRAM — расширенный вывод данных (EDO) RAM. EDO, модифицированная форма памяти FPM, иногда упоминаемая как режим Hyper Page. EDO была изобретена и запатентована компанией Micron Technology, хотя Micron лицензировала производство для многих других производителей памяти.

Память EDO состоит из специально изготовленных микросхем, которые позволяют перекрывать тайминг между последовательными доступами. Вывод расширенных данных имени указывает на то, что в отличие от FPM, драйверы вывода данных на чипе, когда контроллер памяти удаляет адрес столбца, чтобы начать следующий цикл, не отключаются. Это позволяет следующим циклом перекрывать предыдущий, экономя около 10ns за цикл.

Эффект EDO заключается в том, что уменьшается время цикла, позволяя контроллеру памяти, пока он считывает данные по текущему адресу, начинать новую инструкцию адреса столбца. Это почти идентично тому, что было достигнуто в старых системах чередованием банков памяти. Но, в отличие от чередования, с EDO устанавливать в системе одновременно два одинаковых банка памяти не нужно.

EDO RAM, по сравнению с 5-3-3-3 стандартного режима быстрой памяти, обеспечивает циклический пакетный режим 5-2-2-2. Чтобы выполнить четыре передачи памяти, EDO, по сравнению с 14 полными циклами для FPM, потребуется 11 общих системных циклов. Это 22% -ное улучшение общего времени циклов.

Результирующее двухцикличное (30ns) время цикла во время пакетных передач, по сравнению с 45 ns/22 МГц для FPM, равно 33,3 МГц эффективной тактовой частоты. В системе с 64-битной (8-байтной) шиной памяти, это приведёт к максимальной пропускной способности 266 Мбит/с (33,3 МГц × 8 байтов = 266 Мбит/с).

Из-за кэша процессора, EDO обычно повышала общую скорость тестирования системы только на 5% или меньше.

Несмотря на то, что общее улучшение системы было небольшим, существенным в EDO было то, что он использовал тот же базовый дизайн чипов DRAM, что и FPM. То есть, для FPM практически не было никаких дополнительных затрат. Фактически, в период его расцвета EDO стоила меньше, чем FPM, но предлагала более высокую производительность.

EDO RAM обычно поставлялось в 72-контактной SIMM форме.

Чтобы на самом деле использовать память EDO, ваш чипсет материнской платы должен был его поддерживать. Большинство, представленных на рынке с 1995 года (Intel 430FX) до 1997 года (Intel 430TX) чипсетов для материнских плат, предполагали поддержку EDO, сделав EDO самой популярной формой памяти на ПК с 1995 по 1998 год. Поскольку чипы памяти EDO стояли столько же, как и стандартные чипы, к тому же сочетали поддержку Intel для EDO в чипсетах материнских плат, рынок ПК выбрал EDO.

EDO RAM использовалось в системах с частотой шины процессора до 66МГц, что идеально подходило для рынка ПК до 1998 года. Однако, начиная с 1998 года, с появлением 100-мегагерцовых и более быстрых системных шин, рынок для EDO быстро упал, стандартом стала более быстрая архитектура SDRAM.

Одна вариация EDO, которая совсем не стала известной, называлась burst EDO (BEDO). BEDO добавила возможности для передачи данных даже более быстрые, чем стандартный EDO. К сожалению, технология принадлежала Micron, а не свободному отраслевому стандарту, поэтому его поддерживал только один чипсет (Intel 440FX Natoma). BEDO быстро затмилась отраслевой SDRAM, которая стала популярной среди системных чипсетов ПК и системных дизайнеров проприетарных проектов. Таким образом, BEDO действительно никогда не вышел в производство, и нет систем которые его использовали.

WMM (Wi-Fi multimedia) (WMM (Мультимедиа Wi-Fi))

По умолчанию эта функция отключена. Для включения этой функции установите флажок Enable WMM (Включить WMM) (Мультимедиа Wi-Fi). Чтобы использовать эту функцию на других устройствах, с которыми выполняется соединение, они также должны поддерживать WMM, а эта функция должна быть для них включена.

Данный параметр включает функцию Quality of Service (QoS) (Качество обслуживания), используемую для приложений мультимедиа, таких как Voice-over-IP (VoIP) и видео. Это обеспечивает сетевым пакетам приложений мультимедиа приоритет над обычными сетевыми пакетами данных, позволяя приложениям мультимедиа работать устойчивее и с меньшим количеством ошибок.

Когда функция WMM включена, можно установить флажок Enable no-acknowledgement (Разрешить не подтверждать прием). Неподтверждение приема является частью политики подтверждения приема, используемой на уровне MAC. Разрешение не подтверждать прием может привести не только к увеличению пропускной способности, но и к более высокой частотности ошибок при наличии радиочастотных помех.

Когда функция WMM включена, можно также установить флажок Enable APSD (Automatic Power Save Delivery) (Включить APSD (Автоматический переход в режим экономии энергии)). Функция APSD контролирует использование радио для устройств, работающих от батарей, для обеспечения более длительного срока службы батареи в определенных условиях. С помощью функции APSD устанавливается более длительный интервал маяка, пока не будет запущено приложение, для которого необходим короткий интервал обмена пакетами. Протокол передачи голоса через Интернет (VoIP) является примером приложения, для которого необходим короткий интервал обмена пакетами. Функция APSD влияет на использование радио и срок службы батареи, только если беспроводной клиент также поддерживает APSD.

SDR SDRAM

Чип SDR SDRAM 64Мб

Первый стандарт SDRAM с появлением последующих стандартов стал именоваться SDR (Single Data Rate — в отличие от Double Data Rate). За один такт принималась одна управляющая команда и передавалось одно слово данных. Типичными тактовыми частотами были 66, 100 и 133 МГц. Микросхемы SDRAM выпускались с шинами данных различной ширины (обычно 4, 8 или 16 бит), но как правило, эти микросхемы входили в состав 168-контактного модуля DIMM, который позволял прочитать или записать 64 бита (в варианте без контроля чётности) или 72 бита (с контролем чётности) за один такт.

Использование шины данных в SDRAM оказалось осложнено задержкой в 2 или 3 такта между подачей сигнала чтения и появлением данных на шине данных, тогда как во время записи никакой задержки быть не должно. Потребовалась разработка достаточно сложного контроллера, который не позволял бы использовать шину данных для записи и для чтения в один и тот же момент времени.

DRAM-память (мировой рынок)

В настоящее время DRAM используется в большинстве современных компьютеров. Главное преимущество этого типа памяти заключается в чрезвычайно плотной упаковке ячеек, что позволяет создавать память большой ёмкости, при этом само устройство занимает очень мало места. Каждая ячейка это микро конденсатор, который удерживает заряды (наличием или отсутствием зарядов и кодируются биты информации). Главная проблема такой памяти это необходимость постоянно регенерировать заряд иначе конденсатор «стечёт», что приведёт к потере данных. За обновление которых и, следовательно, сохранность отвечает встроенный контролёр с частотой регенерации 15 мкс. В современных компьютерах, работающих на сверхвысоких частотах, процесс регенерации отнимает не более 1 % времени работы процессора. Поэтому нет смысла увеличивать время между циклами — на работу процессора это существенно не повлияет, и к тому же может привести к разрядке конденсатора и, как следствие, к потере данных.

Объём рынка DRAM-памяти в 2008 г. сократился на 19,8% до $25,2 млрд по сравнению с $31,5 млрд в 2007 г. Это произошло вследствие падения цен, сообщает purchasing.com со ссылкой на исследование iSuppli.

«Многие поставщики включились в гонку за рыночной долей, инвестируя значительные средства в дополнительное производственное оборудование, — комментирует Нэм Хьюнг Ким (Nam Hyung Kim), директор и главный аналитик iSuppli в области систем хранения данных и чипов памяти. – Одни компании надеялись, что другие выйдут из гонки, однако этого не произошло». В результате объемы производства были наращены значительно, а спрос упал. Память DRAM используется в ОЗУ.

• 30% — доля Samsung. За последние восемь лет компания вложила в производство DRAM-памяти около $27 млрд, но это не помогло увеличить ее рыночную долю, которая в 2008 г. осталась на уровне 2000 г. (30%).
• Компании Powerchip, Promos, Nanya и Qimonda плетутся в хвосте. Для того чтобы противостоять экономическому спаду 2008-2009 годов им потребовалась помощь правительства.

Принцип работы

Как и большинство других устройств персонального компьютера, центральный процессор имеет определенное рабочее напряжение электропитания. И на многих, хотя и далеко не на всех материнских платах этот параметр работы ЦП может быть изменен пользователем. Для этой цели и предназначена опция BIOS CPU Voltage.

Данная функция будет чрезвычайно полезной при мероприятиях по разгону центрального процессора. Как правило, для разгона процессора применяется метод увеличения тактовой частоты шины FSB, однако при этом иногда может потребоваться и увеличение напряжения процессора.

Рассмотрим подробнее варианты, которые могут встретиться пользователю в опции. Значение Auto позволяет установить стандартное для определенной модели процессора показание Вольт. Аналогичную функцию выполняют и варианты By CPU Default, Startup, Disabled, Normal, No.

Выбор значения Manual позволяет пользователю установить необходимую величину. Иногда вариант Manual отсутствует, а пользователь может сразу же установить нужное ему напряжение.  Процесс установки значений напряжения в разных BIOS может выглядеть по-разному – пользователь может напрямую установить нужное ему значение, введя его в текстовое поле, или установить значение, увеличивая параметр на фиксированную величину при помощи клавиш + и -. Иногда есть возможность выбрать параметр из предложенного BIOS списка. Наконец, выбор нужного параметра может быть организован в виде ввода величины, на которую напряжение будет превышать стандартное значение. Величина напряжения обычно указывается в вольтах или милливольтах. Часто в опции указывается также минимальный и максимальный возможный показатель.

Как изменить тайминги оперативной памяти в БИОСе

Тайминги обозначают количество тактовых импульсов, которые нужны оперативке, чтобы выполнить определенную операцию. Чем ниже тайминг, тем производительнее ОЗУ, поэтому изменение таймингов — процедура полезная.

Но проводить подобные операции интуитивно — опасная затея, ведь так можно вывести ОЗУ из строя, и реанимировать модули, скорее всего, уже не удастся. Поэтому необходимо предварительно протестировать комплектующие базовыми инструментами Windows. Если оператива работает нормально, можно настраивать тайминги. Затем в Виндовс можно проверить, успешно ли прошла настройка.

Как тестировать работу оперативной памяти и поменять тайминги
Часть 1: предварительное тестирование ОЗУ в Виндовс	Открыть панель управления.
Выбрать «Система и безопасность».
Войти в «Администрирование».
Выбрать «Средство проверки памяти Windows» → «Выполнить перезагрузку и проверку памяти».
Часть 2: изменение таймингов в БИОСе	1. Перезагрузить компьютер.
2. Войти в расширенные настройки BIOS и перейти во вкладку «Advanced».
Делать это нужно поэтапно.
В пункте «CAS Latency»:
Если показатели производительности повысились, то можно продолжать снижать время отклика, но на этот раз выставляя значение в пункте «RAS Precharge delay».

Рекомендуется выполнять подобные операции именно через BIOS: в случае сбоя пользователь сможет быстренько откатить параметры до заводских.

Полезно: Установка процессора на материнскую плату: 3 шага

Что значит CPU over voltage error при включении компьютера?

Почему появляется данное сообщение?

В причинах появления CPU over voltage error можно разобраться, переведя сообщение на русский язык. Перевод звучит так – Ошибка перегрузки напряжения на центральном процессоре. Говоря простым языком напряжение, поступающее на процессор не соответствует рекомендуемому. Причем далеко не всегда оно завышено. Не редко случается, что напряжение падает.

Причины изменения напряжения на центральном процессоре

Причин может быть несколько:

• Разгон процессора;
• Неполадки с настройками BIOS;
• Проблемы с блоком питания;
• Проблемы с материнской платой;
• Некорректные показатели датчиков напряжения.

Производители[править]

Название	Веб-сайт
Corsair Memory	http://www.corsairmemory.com/
Crucial Technology	http://www.crucial.com/
EDGE Memory	http://www.edgememory.com/
GEIL	homepage
G.Skill	http://www.gskill.com/
Hynix	http://www.hynix.com/
Kingston Technology	http://www.kingston.com/
Legend	http://www.legendmemory.com/
Micron Technology	http://www.micron.com/
Mushkin	http://www.mushkin.com/
OCZ Technology	http://www.ocztechnology.com
Qimonda	http://www.qimonda.com
Samsung	http://www.samsung.com/
SimpleTech	http://www.simpletech.com/
Super Talent Technology	http://www.supertalent.com/
Ultra Products	http://www.ultraproducts.com/
Wintec Industries	Home
Team Group	http://www.teamgroup.com.tw/

Оптимизация работы жесткого диска

HDD S.M.A.R.T Capability – параметр включает или выключает систему диагностики S.M.A.R.T., которая предупреждает о возможных отказах жесткого диска. Использовать эту систему или нет, решать Вам. Я лично ее отключаю, т.к. использую специализированные программные средства. При работе эта функция незначительно снижает скорость работы компьютера.

IDE HDD Block Mode – параметр, отвечающий за блочную передачу данных. Т.е. за единицу времени передается больше информации, что также повышает производительность системы. Возможно автоматическое определение подходящего параметра.

IDE Burst Mode – параметр подключает буфер обмена данных с интерфейсом IDE, что также увеличивает производительность.

Разгон оперативной памяти (ОЗУ DDR3, DDR4) через БИОС

В принципе нет никакой принципиальной разницы, хотите вы разогнать оперативную память типа DDR3 или DDR4. Поиск настроек в биосе и последующее тестирование будет выглядеть примерно одинаково. А разгонный потенциал будет больше зависеть от производителя и качества ОЗУ и еще от материнской платы и процессора.

Также хочу отметить, что на большинстве ноутбуков в биосе не предусмотрена возможность изменять параметры оперативной памяти. А ведь весь этот «разгон» по сути, и основывается на подстройке параметров.

Разгон ОЗУ в биосе Award

Прежде чем начать разгон оперативной памяти в биосе Award, нужно нажать комбинацию клавиш Ctrl + F1, чтобы появились расширенные меню настроек. Без этого «трюка» вы нигде не найдете параметры оперативной памяти, которые нам так сильно нужны.

Теперь ищите в меню пункт MB Intelligent Tweaker (M.I.T.). Тут находятся необходимые нам настройки оперативной памяти, а именно System Memory Multiplier. Изменяя частоту этого множителя, вы можете повысить или понизить тактовую частоту вашей оперативной памяти.

Обратите также внимание на то, что если вы хотите разогнать оперативную память, которая работает в связке со стареньким процессором, то у вас, скорее всего, будет общий множитель на ОЗУ и процессор. Таким образом, разгоняя оперативную память, вы будете разгонять и процессор

Обойти эту особенность старых платформ, к сожалению, не получится.

Тут же вы можете увеличить подачу напряжения на ОЗУ. Однако это чревато последствиями, поэтому напряжение нужно трогать, только если вы понимаете, что вы делаете и зачем вы это делаете. В противном случае, лучше оставьте все как есть. А если все же решились, то не понимайте напряжение больше чем на 0,15В.

После того, как вы определились с частотой (так вам пока кажется) и напряжением (если решились) выходим в главное меню и ищем пункт меню Advanced Chipset Features. Тут вы сможете подобрать тайминги задержки. Для этого предварительно нужно изменить значение параметра DRAM Timing Selectable из Auto на Manual, то есть на ручную настройку.

О том, как правильно рассчитать соотношение таймингов и частот будет написано немного ниже. А тут я просто описываю, где в биосе найти нужные нам настройки.

Разгон ОЗУ в биосе UEFI

Биос UEFI является наиболее молодым биосом из всех, а потому и выглядит почти как операционная система. По этой же причине пользоваться им намного удобнее. Он не лишен графики, как его предки и поддерживает разные языки, в том числе русский.

Ныряйте сразу в первую вкладку под аббревиатурным названием M.I.T. и заходите там в «Расширенные настройки частот». Благодаря русскому интерфейсу тут вы точно не запутаетесь. Все аналогично первому варианту – регулируйте множитель памяти.

Потом заходите в «Расширенные настройки памяти». Тут мы управляем напряжением и таймингами. Думаю, все понятно с этим.

Дольше останавливаться на биосах не вижу смысла. Если у вас какой-то другой биос, то либо методом научного тыка найдете необходимый пункт, либо читайте мануалы по вашему биосу.

Физическое представление[править]

В современных компьютерах физически память представляет собой электрическую плату — модуль, на котором расположены микросхемы памяти и разъём, необходимый для подключения модуля к материнской плате. Роль «ячеек» играют конденсаторы и транзисторы, расположенные внутри микросхем памяти. Конденсаторы заряжаются в случае, когда в «ячейку» заносится единичный бит, либо разряжаются в случае, когда в «ячейку» заносится нулевой бит. Транзисторы необходимы для удержания заряда внутри конденсатора. При отсутствии подачи электроэнергии к оперативной памяти, происходит разряжение конденсаторов, и память опустошается. Это динамическое изменение заряда конденсатора является основополагающим принципом работы памяти типа DRAM.
Элементом памяти типа DRAM является чувствительный усилитель (англ. sense amp), подключенный к каждому из столбцов «прямоугольника». Он, реагируя на слабый поток электронов, устремившихся через открытые транзисторы с обкладок конденсаторов, считывает всю страницу целиком. Именно страница является минимальной порцией обмена с динамической памятью, потому что обмен данными с отдельно взятой ячейкой невозможен.

Перспективные технологии

Следует сказать, что сейчас в разработке находятся несколько разных вариантов того, что, возможно, найдет применение в качестве запоминающего устройства в обозримом будущем. Один из вариантов я недавно описывал – это совместная разработка Intel и Micron 3D XPoint, использующая, по одной версии, эффект фазового перехода вещества, а по другой – некую иную технологию, о подробностях которой предпочитают не распространяться.

Среди других:

• Память на нанотрубках.
• Сегнетоэлектрическая оперативная память (Ferroelectric RAM, FeRAM или FRAM).
• Резистивная память (RRAM, ReRAM, Resistive random-access memory) и ряд других.

Думаю, постепенно мы познакомимся со всеми этими технологиями.

На разработку и внедрение этих технологий понадобилось больше времени, чем предполагалось. Поэтому большая часть этих вариантов до сих пор находится на научно-исследовательской и опытно-конструкторской стадии или существуют только в виде тестовых образцов.

Несмотря на различия всех этих технологий, они все схожи в том, что вся эта память энергонезависима, в отличие от применяемой сейчас DRAM. Также она позволяет осуществлять побитовую адресацию (чего не может используемая сейчас NAND-память), да и быстродействие, а также долговечность гораздо выше, нежели у распространенной сейчас флеш-памяти.

Как говорил выше, теперешний рынок памяти разделен между тремя типами:

• SRAM – используется в процессорах для кэширования, в качестве регистровой памяти, для обеспечения быстрого доступа к данным. Память этого типа очень быстродействующая, не требует регенерации ячеек, но имеет свои недостатки, как то: невысокую плотность размещения ячеек на кристалле, высокую стоимость.
• DRAM – используется в качестве оперативной памяти, а также в качестве буфера в SSD-накопителях.
• NAND – единственный тип, сохраняющий записанные данные при отключении питания. Используется в твердотельных накопителях, в качестве запоминающего устройства в мобильной технике и т. п.

В тренде сейчас 3D NAND – многослойная память, используемая в SSD. Ее активное освоение и внедрение привело к тому, что производство кремниевых пластин в 2017-м году возросло на 10%. При этом перечисленные технологии (FeRAM, STT-MRAM, память на нанотрубках) находятся на разных стадиях разработки и готовности к промышленному использованию. Причем вполне возможно, что ни один из этих типов не сможет стать монополистом, а многие из них найдут свою нишу в тех или иных устройствах.

До промышленного выпуска пока что добрались только 3D XPoint, а также MRAM, выпускаемая компанией Everspin, которая предлагает чипы емкостью 256 Мбит. Впрочем, ведущая четверка чипмейкеров (GlobalFoundries, Samsung, TSMC и UMC) готова начать производство такой памяти в ближайшем будущем. Свои исследования ведут также Intel, Micron и Toshiba-SK Hynix.

Такой чипмейкер, как GlobalFoundries, планирует выпускать свои чипы STT-MRAM по 22-нанометровому техпроцессу с использованием технологии FD-SOI. В перспективе ожидается переход на 12-нанометровый техпроцесс. Планируется и использование техпроцессов 14 нм и 7 нм на основе технологии finFET.

Заключение. MRAM — что это, будущее?

Вполне возможно. Именно эта технология является лидером в списке альтернатив используемым ныне типам памяти. Причем использованием в автопромышленности, в устройствах интернета вещей, в мобильных устройствах, в качестве буферной памяти и т. п. дело не ограничится. Есть замашки и на вытеснение DRAM.

Четверка основных производителей готова в ближайшем будущем наладить выпуск микросхем памяти, использующих технологию STT-MRAM. Другое дело, готов ли рынок принять их. Да, достоинств у новой технологии много. Это и скорость работы, и долговечность, которая даже «не снилась» используемой ныне флеш-памяти. Но есть и недостатки, даже если сравнивать с NAND. Плотность расположения ячеек у STT-MRAM пока что ниже, чем у флеш-памяти. Да и техпроцессы, по которым может выпускаться новая память, пока что «толще», чем используемые при производстве NAND. Стоимость пока что тоже выше.

В то же время на рынке присутствует дефицит флеш-памяти, активно развивается тема многослойной NAND. В общем, быстрота перехода на новую память вызывает вопросы. И все же вероятность того, что именно STT-MRAM станет преемником, в первую очередь, флеш-памяти очень велика. А как там дальше будет – посмотрим.