Расшифровка маркировки оперативной памяти

Сравнение DDR3 и DDR4

Исходя из технических характеристик видно, что время задержки у DDR4 выше, чем у ее предшественника. Однако при линейном чтении данных или их сохранении за счет практически не меняющихся таймингов эта разница компенсируется, и ОЗУ четвертой модели выигрывает. При работе в многопоточном режиме за счет меньшей латентности выигрывает DDR3 в пределах статистической погрешности. Выполняя сжатие файлов большого размера (объем от 1,5 ГБ и выше), потраченное время на операцию у DDR4 на 3 % меньше, чем у DDR3. Спецификация оперативной памяти третьего поколения предусматривает использование Vddr напряжение. При осуществлении энергозатратных операций оно повышается за счет встроенных преобразователей, тем самым происходит обильное излучение тепла. Модуль DDR4 получает необходимое напряжение от внешнего источника питания (Vpp).

В ОЗУ четвертой модели реализована технология Pseudo-Open Draid, она позволила полностью устранить утечки тока, что наблюдалось в предыдущей версии, где используется Series-Stub Terminated Logic. Применение данного интерфейса для ввода и вывода данных позволило снизить потребление энергии до 30 %. Что касается объема памяти планки DDR4, то минимальное значение составляет 4 ГБ, а для DDR3 оно является оптимальным т. к. максимальное равно 8 ГБ. Структура оперативной памяти третьего поколения позволяет разместить до 8 банков памяти с длиной строки 2048 байт. Последняя модификация ОЗУ имеет 16 банков и длину строки 512 байт, что увеличивает скорость переключения между строками и банками.

Из сравнения DDR3 и DDR4 можно сделать вывод, что последнее поколение ОЗУ обходит своего предшественника практически по всем параметрам, но эта разница мало заметна для обычного пользователя. Оперативная память DDR3L 1600 МГц в сочетании с процессором Intel Core i5 практически не уступают DDR4. ОЗУ четвертого поколения рекомендуется устанавливать для современных игр или работы в специализированных программах, которые требуют большого объема памяти и высокой скорости обработки данных.

Снижение напряжения питания микросхем

Современные микросхемы изготавливаются по технологии КМОП. Транзисторный ключ в этой технологии состоит из двух полевых транзисторов, включенных по двухтактной схеме. В любом состоянии ключа один транзистор полностью открыт, другой — закрыт. В закрытом состоянии полевой транзистор практически не пропускает тока. То есть, в стабильном состоянии КМОП ключ не потребляет ток от источника питания. Но у затворов полевых транзисторов есть емкость. И она имеет существенную величину. При переключении ключа происходит перезаряд затворных емкостей. А конденсатор, как известно, запасает энергию в виде электрического поля. И эта энергия пропорциональна величинам емкости и напряжения.

Мощность определяет скорость изменения энергии и пропорциональна в нашем случае частоте переключения. Получается, что вся энергия источника питания расходуется на перезаряд затворных емкостей. И потребляемая мощность растет линейно с ростом тактовой частоты. Есть два пути понижения потерь мощности на перезаряд паразитных конденсаторов:

• Уменьшить их емкость.
• Уменьшить напряжение перезаряда — понизить напряжение питания.

С каждым новым шагом в совершенствовании технологического процесса изготовления интегральных микросхем линейные размеры транзисторов уменьшаются. Уменьшается и площадь паразитных конденсаторов, а соответственно и их емкость. Но и число транзисторов на кристалле тоже увеличивается.

Значит, надо добиться работы микросхем при как можно более низком напряжении питания. В результате с каждым новым поколением микросхем напряжение их питания уменьшается.

• DDR — 2, 5 В.
• DDR2 — 1, 8 В.
• DDR3 — 1, 5 В.
• DDR4 — 1, 2 В.

Преимущества и недостатки

Разница в технических характеристиках DDR4 не только явная: кое-что выясняется экспериментальным путем. Например, меньший рабочий вольтаж у этого типа памяти ведет к тому, что греется она меньше, поэтому теоретически прослужит дольше. Также уменьшение энергопотребления увеличивает время работы ноутбука от батареи.

Прочитав про правильный выбор оперативной памяти для вашего ПК, вы можете больше узнать о таймингах

Почему это важно знать для сравнения разных типов оперативки? Дело в том, что у каждого последующего поколения тайминги больше

И если брать для сравнения планки памяти DDR3 и DDR4 со всеми равными параметрами, то именно благодаря меньшим таймингам планка третьего поколения будет работать шустрее. Так-то!

Ага, ага, так-то оно так, однако есть одно но: планки оперативки DDR3 с параметрами как у «четверки» относятся к ТОПовым, поэтому и стоят соответственно. Не рекомендую останавливать свой выбор на таком варианте: во-первых, можно заполучить такую же планку, но ДДР4, за меньшую сумму, а во-вторых производители процессоров при разработке новых комплектующих ориентируются уже на DDR4. Собрать на этой базе компьютер не станет проблемой, в то время как поиск материнки на DDR3 и подходящих планок на материнскую плату может превратиться в увлекательный квест с обходом всех окрестных компьютерных магазинов с заведомо неизвестным результатом.

DDR3 + DDR3L = ?

Возможно ли совместное использование двух модулей RAM, один из которых DDR-3, а второй – DDR-3L? Чем второй отличается от первого?

Память DDR3 длительное время была безальтернативным выбором.

Оперативка DDR3L питается от напряжения 1,35 V, а ее предшественница потребляет 1,5 V – это и есть их главное различие. Внешне планки того и другого типа выгладят одинаково.

Стандарт DDR3L полностью совместим с материнскими платами и процессорами, предназначенными для DDR3, но не наоборот. Так, процессоры Intel микроархитектуры Skylake S официально не поддерживают DDR 3, хотя поддерживают DDR 3L.

Совместное использование модулей того и другого типа иногда возможно, но нежелательно. Вся память, установленная в слоты одной материнской платы, питается от напряжения одинакового уровня, поэтому в оптимальных условиях будет находиться только одна из планок. Компьютеры с такой конфигурацией ОЗУ работают, как правило, нестабильно, а некоторые и вовсе не включаются.

Типы динамических ОЗУ

Первоначально и статические и динамические устройства были асинхронными, то есть не требовали для своей работы тактовой частоты. Быстродействие было примерно одинаковым и единственным существенным различием была необходимость регенерации в динамических ОЗУ. Со временем быстродействие транзисторных ключей росло, а быстродействие динамической памяти ограничивалось тем, что заряд и разряд запоминающего конденсатора требует определенного времени. Динамическая память стала отставать от статической.

Разработчикам динамической памяти пришлось пойти на усложнение своих микросхем. Микросхемы динамической памяти получили на кристалле довольно сложную обвязку и устройство управления, для работы которого необходима подача тактовой частоты. Динамические ОЗУ стали синхронными и получили название SDRAM — Synchronous Dynamic RAM.

За счет различных схемотехнических ухищрений эффективное быстродействие SDRAM стало превышать пропускную способность шины памяти и шина стала узким местом. Обычно в синхронных устройствах передача информации происходит по определенному фронту синхроимпульса — переднему (нарастающему) или заднему (спадающему).Появились микросхемы DDR SDRAM, у которых в отличие от обычных SDRAM передача информации по шине осуществляется как по обоим фронтам синхроимпульса. Это позволило увеличить пропускную способность шины памяти вдвое. DDR и означает Double Data Rate, или удвоенную скорость данных.

Технология DDR развивалась и появились новые поколения этих устройств, сначала DDR2, затем DDR3. Последним поколением на сегодняшний день является DDR4, но оно еще не получило широкого распространения и самым распространенным типом остается DDR3 .

DDR3 или DDR4, что лучше?

Вопрос с подвохом. Вроде бы уже все выяснили, что DDR4 новее, быстрее и экономичнее, а тут такой вопрос. И все же давайте выясним, что лучше?

А подвох тут вот в чем! Если взять, например, DDR3 2400Мгц и DDR4 2400Мгц, то в этой схватке одержит победу….. одержит победу… отгадайте кто?… DDR3! Почему так происходит? В ОЗУ существует такая характеристика как тайминг задержки. Выглядит она примерно так 9-9-9-24 или 9-10-10-24. В общем, чем этот показатель ниже, тем выше скорость оперативной памяти.

И случилось так, что в силу своей архитектуры DDR4 имеет тайминги выше, чем у DDR3. Именно поэтому при одинаковых частотах в тестах DDR4 немножко проигрывает памяти DDR3. Но стоит только взять память DDR4 с частотой 3200 или 4000 Мгц, как вы заметите огромную разницу в пользу DDR4!

Вот теперь и думайте, что лучше DDR3 или DDR4? Все зависит от многих факторов. Например, какую частоту оперативной памяти поддерживает ваша материнская плата, есть ли в ней потенциал для дальнейшего апгрейда системы.

Обзор оперативной памяти DDR3

DDR3 SDRAM означает синхронную динамическую память третьего поколения с удвоенной скоростью передачи по шине данных. Память выпускается в виде модулей — печатных плат прямоугольной формы, на одной из длинных сторон которых располагаются контактные площадки для соединения с разъемами материнской платы.

В зависимости от исполнения контактов модули разделяются на два типа — SIMM и DIMM. SIMM или Single In line Memory Module — означает модуль памяти с одним рядом контактов. DIMM — модуль с двумя рядами контактов. У обоих типов модулей контактные площадки расположены на двух сторонах платы, но в модулях SIMM противоположные контакты соединены.

Модули памяти DDR2 и DDR3 имеют по 240 контактов. На контактной стороне модулей имеется специальный вырез — ключ. На модулях DDR2 и DDR3 ключи располагаются по-разному, что исключает установку одного модуля вместо другого. Выпускаются модули уменьшенного габарита для ноутбуков, которые обозначаются SoDIMM, So в обозначении расшифровывается как Small Outline, то есть малый наоборот.

Характеристики DDR3

Основные характеристики любого типа памяти — объем и быстродействие. Объем выпускаемых в настоящее время модулей составляет от 1 до 16 ГБ для стандартных модулей и до 8 ГБ для SoDIMM.

Быстродействие синхронной памяти определяется тактовой частотой шины и задержками в цикле обращения к памяти, которые характеризуют быстродействие самих микросхем памяти и называются латентностями (от английского Latency — задержка) или таймингами. Разных задержек указывается несколько — иногда до пяти. Для выбора модуля DDR3 можно не обращать особого внимания на задержки.

В системах DDR данные буферизуются, используется конвейерный ввод-вывод, при этом значение задержек собственно микросхем компенсируется. Кроме того, современные процессоры имеют на кристалле такие объемы быстродействующих статических ОЗУ в кеш-памяти второго и даже третьего уровня, что подкачка страниц между внутренним кешем и внешним ОЗУ происходит довольно редко. Поэтому в современных компьютерах быстродействие оперативной памяти престало играть определяющую роль.

Главная характеристика быстродействия памяти DDR3 — частота передачи по шине данных. Для DDR3 она может быть в диапазоне от 800 до 2400 МГц. Частота шины в два раза ниже, поскольку передача данных идет два раза за цикл по обоим фронтам тактового сигнала. За счет буферизации еще делится на 4, то есть сама память работает на частоте в 4 раза ниже частоты шины.

Быстродействие модулей измеряется в мегабайтах за секунду. Поскольку шина имеет ширину в 64 бита или 8 байт в секунду, значение скорости обмена данными для модуля DDR3 будет в 8 раз больше частоты передачи по шине.

Самый медленный модуль с частотой данных на шине 800 МГц будет иметь скорость 2400 МБ в секунду и иметь обозначение PC3−2400.

Самый, быстрый модуль с частотой данных 2400 МГц будет иметь скорость 19200 МБ в секунду и обозначение будет выглядеть как PC3−19200.

При выборе модуля, надо обязательно убедиться что тактовая частота шины модуля соответствует тактовой частоте процессорной шины вашего компьютера.

Основные отличия между DDR3 и DDR4

Рассмотрим основные различия:

• DDR3 поддерживает плотность памяти только до 8 ГБ, а DDR4 до 16 ГБ.
• Частоты DDR4 намного выше, чем у модулей DDR3. Это делает модули DDR4 быстрее благодаря повышению скорости передачи.
• Наименьший порог напряжения у версии DDR3 1.35 В, а у DDR4 — 1.05.
• Модули DDR3 имеют 240 контактов, а DDR4 — 288.
• Насечки на модулях находятся в разных местах.
• Память DDR3 поддерживает только 8 внутренних банков памяти, а DDR4 — 16 банков.

Несмотря на преимущества нового типа памяти, разница в производительности системы с DDR3-2133 Мгц и DDR4-2133 Мгц в ряде приложений и игр составляет всего пару процентов, в то время как цена на новую платформу обойдется намного дороже.

DDR3 vs DDR4. Кто круче?

Добрый день, уважаемые читатели. У многих возникает вопрос, какую оперативную память выбрать DDR3 или DDR4? В чем отличие между ними и что лучше подходит для игр? Сегодня мы разберемся во всех этих вопросах и затронем сопутствующие вопросы по этой теме. Мы, конечно, уже разбирались в вопросе, как выбрать ОЗУ для компьютера, но сегодня подробнее остановимся именно на этих двух типах памяти. Почему? Потому что не все могут с легкостью определиться в выборе. Мы поможем!

Как известно, технология DDR4 появилась на рынке вместе с процессорами 6-го поколения от Интел под кодовым названием SkyLake (небесное озеро). Соответственно использовать DDR4 желательно только с новыми процессорами 6-го и 7-го поколения (и выше).

А вот с какого поколения процессоры начнут поддерживать ОЗУ DDR5 пока не известно.

Форматы оперативной памяти

В системе различают несколько форматов памяти: DDR, DDR2, DDR3, DDR4.

Первый формат считается устаревшим, и планки такого типа уже не выпускают. Планки формата DDR2 способны развивать частоту работы до 1066 мегагерц.

У формата DDR3 есть разгонный потенциал, поэтому частоты могут варьироваться от минимальных до максимальных. Также этот формат является самым популярным, так как его можно установить как для офисных задач, так и для запуска игр. Чтобы разогнать оперативную память до максимально достижимой частоты, нужно заглянуть в настройки BIOS и изменить нужный параметр.

Мало кто знает, что DDR3L — это особый формат оперативной памяти. Он отличается только тем, что может работать с напряжением не в 1,5 вольта, а 1,35. Такое решение позволяет на 20% уменьшить объем потребляемой энергии. У DDR3L 1600 мегагерц — это рабочая частота, с которой оперативная память функционирует. Также существует и разгонная версия данного формата ОЗУ. Мало того, оперативная память DDR3L обладает пассивным охлаждением, что оптимизирует работу ОЗУ на 15%.

Формат оперативной памяти DDR4 относительно новый, и его разгонный потенциал впечатляет. Она может разогнаться до 3200 мегагерц, но для такой работы нужно достойный уровень охлаждения. Различные производители подбирают защиту для планок оперативной памяти не только для стильного внешнего вида, но и для размещения на планке радиаторов.

Один из важных аспектов — это совместимость между планками. Если пользователь желает увеличить объем оперативной памяти, то нужно подобрать правильную планку

Первое, на что стоит обратить внимание — это формат. Дело в том, что в слот, рассчитанный на формат DDR4, нельзя установить ОЗУ с форматом DDR3L

Вторым пунктом будет частота работы оперативной памяти. Если установить планки с разными стартовыми частотами, то компьютер просто не запустится.

Совместимость

Сравнение планок памяти DDR, DDR2 и DDR3 по внешнему виду

Модули DIMM с памятью DDR3, имеющие 240 контактов, не совместимы с модулями памяти DDR2 ни электрически, ни механически. Ключ расположен в другом месте, поэтому модули DDR3 не могут быть установлены в слоты DDR2, сделано это с целью предотвращения ошибочной установки одних модулей вместо других и их возможного повреждения вследствие несовпадения электрических параметров.

В переходный период производители выпускали материнские платы, которые поддерживали установку и модулей DDR2, и DDR3, имея соответствующие разъёмы (слоты) под каждый из двух типов, но одновременная работа модулей разных типов не допускалась.

При использовании процессоров Intel Skylake (шестое поколение) и более новых возможна установка только модулей памяти DDR3L 1,35 В (но не DDR3 1,5 В). При этом, такие модули и слоты для них не имеют какой-либо защитной особенности, что создает риск установки несовместимой памяти.

Как различить и совместимость

Чтобы верно определить, к какому стандарту относится модуль, нужно знать чем отличается DDR3 от DDR3l. Разберемся в чем разница между DDR3 и DDR3l с точки зрения маркировки.

Из-за одинакового форм-фактора и расположения ключа, можно вставить модуль DDR3 в разъем на материнской плате, рассчитанной на DDR3L, или наоборот. К чему может привести подобная невнимательность?

Если модуль памяти рассчитан на напряжение в 1,5 вольта, а получает только 1,35 вольта, то, весьма вероятно, он будет вести себя нестабильно, становясь причиной регулярных зависаний и внезапных перезагрузок системы. Впрочем, вполне возможна ситуация, когда планка ОЗУ будет нормально работать. Особенно если немного повысить тайминги и снизить частоту, тогда шанс на бесперебойную работу увеличится, пусть и ценой некоторого снижения быстродействия. Но стоит ли рисковать?

Казалось бы, достаточно поднять напряжение, ведь многие материнские платы позволяют это. Да, тогда получится ситуация вполне типичная для разгона, когда для нормальной работы приходится повышать напряжение.

Стоит отметить, что процессоры intel, начиная с поколения Skylake, рассчитаны только на работу с низковольтной DDR3l памятью. По утверждению представителей компании, в долгосрочной перспективе работа процессоров 6 и более поздних поколений архитектуры Core с памятью рассчитанной на напряжение 1,5 вольт, может навредить CPU.

Получается, что заставить работать модуль DDR3 с системной платой и процессором, рассчитанными на DDR3l, во многих случаях можно. Но, в результате всех предпринятых усилий легко получить нестабильно работающий компьютер. Память DDR3 сложно считать универсальным решением для любой конфигурации, чем она также отличается от DDR3l.

Лучшим способом приобрести нужную память, это открыть свой ноутбук, достать модуль памяти и списать его характеристики или взять его в магазин. Так же можно воспользоваться ПО для просмотра аппаратной начинки компа (типа CPU-Z) и зайти во вкладку SPD.

Второй вариант — использование модуля, рассчитанного на низкое напряжение, в старой материнской плате, поддерживающей DDR3. Исходя из требований JESD79‐3‐1A.01, документа, в котором регламентирован стандарт DDR3L, любой модуль должен быть обратно совместим со обычным DDR3.

Какой объем ОЗУ оптимален для игрового компьютера

Любая компьютерная игра является программой, исполняемой EXE-файлом, в процессе ее активности осуществляется непрерывная обработка большого объема информации и использование дополнительных графических библиотек. По этой причине оперативную память следует рассматривать одной из важных составляющих любой геймерской системы.

При выборе игрового компьютера первое, на что следует обращать внимание — объемы оперативной памяти. На ней лучше не экономить, поскольку недостаточные размеры ОЗУ скажутся не только на комфорте игрового процесса, но и на успешности в реализации игровых миссий

Емкости, достаточной для обычной работы в офисных программах и интернете, недостаточно для стабильной работы большинства современных игр.

В параметрах любой современной компьютерной игры прописываются требования к ОЗУ. На сегодняшний день для компьютера геймера оптимальным является емкость оперативной памяти от 8 до 16 ГБ: эти объемы позволяют комфортно запускать большую часть игр, не закрывая при этом все работающие программы и процессы устройства.

На большинстве современных игровых компьютеров производителями установлены системы 8 или 16 Гбайт. В наиболее распространенных процессорах AMD и Intel применяются двухканальные контроллеры ОЗУ, благодаря чем на материнской плате каждой платформы установлены 2 или 4 слота DIMM. Материнские платы с разъемами LGA2011 и LGA2011-v3 располагают 4 или 8 разъемами соответственно для подключения ОЗУ.

Что происходит, если объемов оперативной памяти компьютера недостаточно

В тех случаях, когда компьютерной игре не хватает имеющегося объема оперативной памяти и данные в ОЗУ не помещаются, часть информации переносится на виртуальную память — на так называемый «файл подкачки».

Главной проблемой загрузки игры с файла подкачки является низкая скорость работы жесткого диска: показатель оперативности ОЗУ в несколько раз превышает аналогичный параметр виртуальной памяти. Это непосредственно отражается на игровом процессе: пользователь постоянно сталкивается с торможением игры, регулярными лагами и зависаниями на несколько секунд.

Таким образом, сама игра загрузится в любом случае, даже если ОЗУ компьютера недостаточно для ее запуска. Однако прохождение важных игровых моментов и в целом игровой процесс будут сопровождаться регулярным торможением и зависанием.

• Наиболее серьезной данная проблема будет для геймеров, играющих в онлайн-игры («Дота», «Танки» и другие РПГ): зависание на стороне одного из игроков может привести к поражению как всей команды, так и пользователя при соло-игре, например, при нападение со стороны другого игрока, когда отразить атаку невозможно из-за лагов процесса.
• В одиночных играх, не предполагающих участие других игроков, торможение менее критично и сказывается на удобстве и комфорте самого игрока. Для прохождения определенного участка ему потребуется потратить больше времени и, возможно, предпринять несколько попыток.

RAM термины: тайминги, задержка и многое другое

Вы познакомились с SDRAM, DIMM и DDR. Но как насчет других длинных цепочек чисел в модели RAM? Что они имеют в виду? В чем измеряется ОЗУ? А что насчет ECC и Swap? Вот другие термины спецификации RAM, которые вы должны знать.

Тактовая частота, передача, пропускная способность Возможно, вы видели ОЗУ, на которую ссылаются два набора чисел, например, DDR3-1600 и PC3-12800. Это и ссылка, и ссылка на генерацию оперативной памяти и ее скорость передачи . Число после DDR / PC и перед дефисом относится к поколению: DDR2 — это PC2, DDR3 — это PC3, DDR4 — это PC4.

Число, соединенное после DDR, относится к числу мегатрансферов в секунду (МТ/с). Например, оперативная память DDR3-1600 работает на скорости 1600 МТ/с. ОЗУ DDR5-6400, о котором говорилось выше, будет работать со скоростью 6400 МТ/с — намного быстрее! Число в паре после ПК относится к теоретической пропускной способности в мегабайтах в секунду. Например, PC3-12800 работает со скоростью 12 800 МБ/с.

Разгон ОЗУ возможен так же, как разгон процессора или видеокарты. Разгон увеличивает пропускную способность оперативной памяти. Производители иногда продают предварительно разогнанную оперативную память, но вы можете разогнать ее самостоятельно. Просто убедитесь, что ваша материнская плата поддерживает более высокую тактовую частоту RAM!

Вы можете быть удивлены, можете ли вы смешивать модули оперативной памяти с разными тактовыми частотами. Ответ в том, что да, вы можете, но все они будут работать на тактовой частоте самого медленного модуля. Если вы хотите использовать более быструю оперативную память, не смешивайте ее со старыми, более медленными модулями. Теоретически вы можете смешивать бренды RAM, но это не рекомендуется. У вас больше шансов встретить синий экран смерти или других случайных сбоев, когда вы смешиваете марки RAM или разные тактовые частоты RAM.

Тайминг и задержка

Иногда вы увидите модули оперативной памяти с рядом цифр, например, 9-10-9-27. Эти цифры называются таймингами. Синхронизация ОЗУ — это измерение производительности модуля ОЗУ в наносекундах. Чем ниже цифры, тем быстрее ОЗУ реагирует на запросы.

Первое число (в примере 9) — это задержка CAS. Задержка CAS относится к числу тактовых циклов, необходимых для того, чтобы данные, запрошенные контроллером памяти, стали доступными для вывода данных.

Вы можете заметить, что DDR3 RAM обычно имеет более высокие тактовые номера, чем DDR2, а DDR4 обычно имеет более высокие тактовые номера, чем DDR3. Тем не менее, DDR4 быстрее, чем DDR3, который быстрее, чем DDR2. Странно, правда?

Мы можем объяснить это, используя DDR3 и DDR4 в качестве примеров.

Минимальная частота работы ОЗУ DDR3 составляет 533 МГц, что означает тактовую частоту 1/533000000 или 1,87 нс. При задержке CAS в 7 циклов общая задержка составляет 1,87 x 7 = 13,09 нс. («Нс» означает наносекунды.)

Принимая во внимание, что самая низкая скорость ОЗУ DDR4 составляет 800 МГц, что означает тактовую частоту 1/800000000, или 1,25 нс. Даже если он имеет более высокий CAS из 9 циклов, общая задержка составляет 1,25 x 9 = 11,25 нс

Вот почему это быстрее!

Для большинства людей пропускная способность всегда превосходит тактовую частоту и задержку . Вы получите гораздо больше преимуществ от 16 ГБ ОЗУ DDR4-1600, чем от 8 ГБ ОЗУ DDR4-2400. В большинстве случаев время и задержка являются последними пунктами рассмотрения.

ECC

ОЗУ с исправлением ошибок (ECC) — это особый тип модуля памяти, который предназначен для обнаружения и исправления повреждения данных. ECC ram используется на серверах, где ошибки в критически важных данных могут быть катастрофическими. Например, личная или финансовая информация хранится в оперативной памяти при манипулировании связанной базой данных.

Бытовые материнские платы и процессоры обычно не поддерживают ECC-совместимую оперативную память. Если вы не создаете сервер, который специально требует ОЗУ ECC, вы должны держаться подальше от него.

DDR3 + DDR3L = ?

Возможно ли совместное использование двух модулей RAM, один из которых DDR-3, а второй – DDR-3L? Чем второй отличается от первого?

Память DDR3 длительное время была безальтернативным выбором. И лишь незадолго до выхода на рынок DDR4 увидела свет ее новая модификация – DDR3L. Литера «L» в названии последней означает «low voltage» – низковольтная.

Оперативка DDR3L питается от напряжения 1,35 V, а ее предшественница потребляет 1,5 V – это и есть их главное различие. Внешне планки того и другого типа выгладят одинаково.

Стандарт DDR3L полностью совместим с материнскими платами и процессорами, предназначенными для DDR3, но не наоборот. Так, процессоры Intel микроархитектуры Skylake S официально не поддерживают DDR 3, хотя поддерживают DDR 3L.

Совместное использование модулей того и другого типа иногда возможно, но нежелательно. Вся память, установленная в слоты одной материнской платы, питается от напряжения одинакового уровня, поэтому в оптимальных условиях будет находиться только одна из планок. Компьютеры с такой конфигурацией ОЗУ работают, как правило, нестабильно, а некоторые и вовсе не включаются.

Особенности DDR3L

Конструкция планок DDR3L практически не отличается от DDR3. Они также оснащены 240 контактами и обладают такими же размерами, кроме высоты.

Также, данный вид оснащен системой пассивного охлаждения, что позволяет ее разгонять, увеличивает производительность, так как повышается потребление энергии. Модуль памяти не выйдет из строя раньше, чем положено, так как тепло будет рассеиваться и не произойдет перегрев.

Стоит отметить, что с 2012 года на рынке можно встретить модификации этой памяти, разработанные для смартфонов DDR3L-RS.

В маркировке памяти, L – это Low, то есть, низкое потребление энергии. В отличии от DDR3 данный вид памяти требует источник, напряжение которого 1,35 В. Это на 10-15% меньшем чем DDR3 и на 40% меньшем чем DDR2. Благодаря тому, что тепла выделяется меньше, то и пассивное охлаждение не нужно, а это сокращает тайминги и делает работу стабильнее и производительнее. Все остальные характеристики ничем не отличаются от DDR3.

DDR3L нельзя заменить на DDR3 т.к. установка в слот для первого типа приведет к несовместимости и запуск не произойдет. Но в обратном порядке возможна замена, однако плата может нагреваться, так как DDR3 требует больше энергии.

Спецификации стандартов

Стандартное название	Частота памяти, МГц	Время цикла, нс	Частота шины, МГц	Эффективная скорость, млн передач/с	Название модуля	Пиковая скорость передачи данных при 64-битной шине данных в одноканальном режиме, МБайт/с
DDR3‑800	100	10,00	400	800	PC3‑6400	6400
DDR3‑1066	133	7,50	533	1066	PC3‑8500	8533
DDR3‑1333	166	6,00	667	1333	PC3‑10600	10667
DDR3‑1600	200	5,00	800	1600	PC3‑12800	12800
DDR3‑1866	233	4,29	933	1866	PC3‑14900	14933
DDR3‑2133	266	3,75	1066	2133	PC3‑17000	17066
DDR3‑2400	300	3,33	1200	2400	PC3‑19200	19200

Несмотря на то, что стандартом не описывается память со скоростью работы выше DDR3-2400 или отличной от указанной в таблице, следует заметить, что также существуют и нестандартные решения, такие как DDR3-2000 (например, Team Xtreem TXD34096M2000HC9DC-L), или более быстрые DDR3-2666, DDR3-2933 (пропускная способность последних сопоставима с аналогичными модулями DDR4-2666 и DDR4-2933 соответственно).

Чем отличается DDR3 от DDR4?

Вы, скорее всего, знаете, что оперативная память развивается не так быстро, как процессоры. Новое поколение процессоров выходит практически каждый год, а вот оперативная память DDR3 прочно оккупировала рынок уже с далекого 2007 года. Точнее в 2007 она появилась, а в 2010 вытеснила DDR2. Теперь давайте поговорим про основные отличия памяти DDR4 от предыдущего поколения.

Технически, конечно же, новое поколение оперативной памяти более совершенно (спасибо кэп =D ). Во-первых, снижено энергопотребление (и теплоотдача соответственно). Планка памяти DDR3 имела напряжение 1,5-2 Вольта, а у DDR4 напряжение снижено до 1,05-1,2 Вольта. Хотя это больше ощутимо для серверов, чем для домашних зверьков. Во-вторых, увеличен частотный диапазон. DDR3 работал на частотах от 800Мгц до 2933Мгц, а DDR4 начинает диапазон на частоте 2133Мгц и заканчивает пока на 4400Мгц, но, видимо, это еще не предел. Судите сами, насколько значительнее будет разница в производительности такой памяти.